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龍人旗下深圳市龍芯世紀科技有限公司
  • TriQuint 分立晶體管FET  
  • 發布時間：2013/3/19 13:42:48   修改時間：2013/3/19 13:42:48 瀏覽次數：6576

  • 低噪音晶體管

    分立器件
    型號 描述 頻率(GHz) 增益(dB) 功率(dBm) NF/PAE Vd(V) IQ(mA)
    TGF1350-SCC 0.3 mm, MESFET DC - 18.0 11 13 1.5 dB 3 15
    DC - 4 16 26 0.6 5 150
    TGF4350 0.3 mm, 0.25-μm mmW pHEMT 2MI DC - 22.0 13@10GHz 16 0.8 dB@10GHz 3 15
    分立晶體管
    型號 描述 頻率(GHz) 增益(dB) P1dB (dBm) OIP3 (dBm) NF/PAE Vdd (V) Idd (mA) 封裝
    TGA2602-SM 雙 GaAs PHEMT 0.8 - 3 20.5 20 33.5 0.55 4 140 4 x 4 mm
    CFH800 低噪聲、高線性 pHEMT FET 0.05 - 4 17 - 30 0.5 3 30 SOT-143

     

    功率晶體管

    放大器

    型號 描述 頻率(GHz) 功率(dBm) 增益(dB) NF/PAE +V IQ(mA)
    TGA2921-SG 4 W 802.11a 封裝放大器 4.9-6 36 11 - 8 800
    TGA2922-SG 2W 802.11a封裝放大器 4.9-6 34 11 - 8 480
    TGA2923-SG 10 W MMDS封裝放大器 3.5 40 9 - 8 1200
    TGA2924-SG 10 W MMDS封裝放大器 1-4 40 12 - 8 1200
    TGA2925-SG 5.6 W 3.5 GHz 封裝 HPA 2-4 37.5 12 - 8 750

    分立器件

    型號 描述 頻率(GHz) 增益(dB) 功率(dBm) NF/PAE Vd(V) IQ(mA)
    T1G6000528-Q3 7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射頻功率晶體管 DC - 6 10 39.5 >50% 28 50
    T1G6003028-FS 30W, 28V, DC-6GHz GaN RF 功率晶體管 DC - 6 14 45 - 28 200
    TGF2021-01 X-波段分立功率pHEMT DC - 12 11 > 30 59% 8 - 12 75 - 125
    TGF2021-02 X-波段分立功率pHEMT DC - 12 11 > 33 59% 8 - 12 150 - 250
    TGF2021-04 X-波段分立功率pHEMT DC - 12 11 > 36 59% 8 - 12 300 - 500
    TGF2021-04-SG pHEMT寬帶射頻晶體管 20 MHz - 4GHz 12 4W - - -
    TGF2021-08 X-波段分立功率pHEMT DC - 12 11 > 39 59% 8 - 12 600 - 1000
    TGF2021-08-SG pHEMT寬帶射頻晶體管 20 MHz - 4GHz 12V 7W - - -
    TGF2021-12 X-波段分立功率pHEMT DC - 12 11 > 42 58% 8 - 12 900 - 1500
    TGF2022-06 Ku-波段分立功率pHEMT DC - 20 13 > 28 58% 8 - 12 45 - 75
    TGF2022-12 Ku-波段分立功率pHEMT DC - 20 13 > 31 58% 8 - 12 90 - 150
    TGF2022-24 Ku-波段分立功率pHEMT DC - 20 13 > 34 58% 8 - 12 180 - 300
    TGF2022-48 Ku-波段分立功率pHEMT DC - 20 13 > 37 58% 8 - 12 360 - 600
    TGF2022-60 Ku-波段分立功率pHEMT DC - 20 12 > 38 57% 8 - 12 448 - 752
    TGF2023-01 6 W用于SiC HEMT上的分立電源 GaN DC - 18 15 >38 55% 28 - 40 125
    TGF2023-02 12 W用于SiC HEMT上的分立電源 GaN DC - 18 15 > 41 55% 28 - 40 250
    TGF2023-05 25 W用于SiC HEMT上的分立電源 GaN DC - 18 15 > 44 55% 28 - 40 500
    TGF2023-10 SiC HEMT 50W分立功率 GaN DC - 18 15 > 47 55% 28 - 40 1000
    TGF2023-20 SiC HEMT 100W分立功率 GaN DC - 18 15 > 50 55% 28 - 40 2000
    TGF4112 12mm HFET DC - 8.0 14@2GHz 37 55% 8 750
    TGF4118 18mm HFET DC - 6.0 13.5@2GHz 38.5 53% 8 1690
    TGF4124 24mm HFET DC - 4.0 13@2GHz 40 51% 8 2170
    TGF4230-SCC 1.2 mm HFET DC - 12.0 10 28.5 55% 8 96
    TGF4240-SCC 2.4mm HFET DC - 12.0 10 31.5 56% 8 192
    TGF4250-SCC 4.8 mm HFET DC - 10.5 8.5 34 53% 8 384
    TGF4260-SCC 9.6mm HFET DC - 10.5 9.5 37 52% 8.5 768

    分立晶體管

    型號 描述 頻率(GHz) 增益(dB) P1dB (dBm) OIP3 (dBm) NF/PAE Vdd (V) Idd (mA) 封裝
    CLY2 大功率 封裝 GaAs FET; +23.5 dBm DC - 3 14.5 23.5 - 0.79 3 180 MW6
    CLY5 大功率 封裝 GaAs FET; +26.5 dBm 0.4 - 2.5 11 27 - 1.7 3 350 MW6
    TGF2960-SD 0.5 W GaAs HFET DC - 5 19 27 40 3.7 8 100 SOT-89
    TGF2961-SD 1 W GaAs HFET DC - 4 18 30 44 3.3 8 200 SOT-

    PowerBand? 射頻晶體管

    型號 描述 技術 頻段 工作電壓 P1dB (W) 增益(dB) 效率(%) 寬帶評估板
    T1P2701012-SP 10 W, 12 V, 500 MHz - 3 GHz pHEMT 射頻功率晶體管 pHEMT 500MHz - 2.7GHz 12V 10 10 50 T1P2701012-SP
    T1P3002028-SP 20 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脈寬 pHEMT 射頻功率晶體管 pHEMT 500MHz - 2.5GHz 28V 20 10 50 T1P3002028-SP
    T1G6003028-SP 25W, 28V, 20 MHz - 6 GHz GaN 分立射頻晶體管 GaN 20MHz - 6.0GHz 28 25 8 50 T1G6003028-SP
    T1L2003028-SP 30 W, 28 V, 500 MHz - 2 GHz LDMOS RF 功率晶體管 LDMOS 500MHz - 2.0GHz 28V 30 10 60 T1L2003028-SPTF
    T1P3003028-SP 30 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脈寬 pHEMT 射頻功率晶體管 pHEMT 500MHz - 2.0GHz 28V 30 10 50 T1P3003028-SP
    T1P3005028-SP 50 W, 28 V, 500 MHz - 2GHz 脈寬 pHEMT 射頻功率晶體管 pHEMT 500MHz - 2.0GHz 28V 50 10 50 T1P3005028-SP

    GaAs MESFET

    型號 描述 頻率(GHz) 增益(dB) P1dB (dBm) OIP3 (dBm) NF/PAE Vdd (V) Idd (mA) 封裝
    FH1-G GaAs MESFET 0.05 - 4 19 21 42 2 5 150 SOT-89
    FH101 GaAs MESFET 0.05 - 4 19 18 36 2 5 150 SOT-89

    GaAs HFET

    型號 描述 頻率(GHz) 增益(dB) P1dB (dBm) OIP3 (dBm) NF/PAE Vdd (V) Idd (mA) 封裝
    FP1189-G 0.5 W GaAs HFET 0.05 - 4 19 27 40 2.7 8 125 SOT-89
    FP2189-G 1 W GaAs HFET 0.05 - 4 18 30 44 4.5 8 250 SOT-89
    FP31QF-F 2 W GaAs HFET 0.05 - 4 18 34 46 3.5 9 450 6 x 6 mm

    GaN FET

    分立器件

    型號 描述 頻率(GHz) 增益(dB) 功率(dBm) NF/PAE Vd(V) IQ(mA)
    T1G4005528-FS 55W, 28V, DC-3.5 GHz, GaN 射頻功率晶體管 DC - 3.5 15 47.2 >50% 28 200
    T1G6000528-Q3 7 W, 28 V, 20 MHz - 6 GHz GaN 射頻功率晶體管 DC - 6 10 39.5 >50% 28 50
    T1G6001528-Q3 18W, 28V, DC-6 GHz, GaN 射頻功率晶體管 DC - 6 15 43.4 >50% 28 50
    T1G6003028-FS 30W, 28V, DC-6GHz GaN RF 功率晶體管 DC - 6 14 45 - 28 200
    TGF2023-01 6 W用于SiC HEMT上的分立電源 GaN DC - 18 15 >38 55% 28 - 40 125
    TGF2023-02 12 W用于SiC HEMT上的分立電源 GaN DC - 18 15 > 41 55% 28 - 40 250
    TGF2023-05 25 W用于SiC HEMT上的分立電源 GaN DC - 18 15 > 44 55% 28 - 40 500
    TGF2023-10 SiC HEMT 50W分立功率 GaN DC - 18 15 > 47 55% 28 - 40 1000
    TGF2023-20 SiC HEMT 100W分立功率 GaN DC - 18 15 > 50 55% 28 - 40 2000

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