KJ009可控硅移相觸發器

KJ009可控硅移相觸發器的基本性能與KJ004相同,可以與KJ004互換使用。由于器件內部采用了反向阻斷四極硅晶閘管作脈沖記憶,提高了抗干擾能力和觸發脈沖的前沿陡度,脈沖的寬度有較大的調節范圍。KJ009可控硅移相觸發器適用于單相、三相全控橋式供電裝置中作可控硅的雙路脈沖移相觸發。兩路相位差180度的移相脈沖可以方便地構成全控橋式觸發線路。具有輸出負載能力強、鋸齒波線性好、正負半周脈沖相位均衡度好、移相范圍寬、對同步電壓要求低,有脈沖列調制輸入等功能與特點。
KJ009電路工作原理：
　　KJ009可控硅移相觸發器由同步檢測電路、鋸齒波形成電路、偏移電壓、移相電壓及鋸齒波電壓綜合比較放大電路、脈沖記憶路及功率放大電路等部分組成。由V,—V,對同步電壓進行檢測。在同步電壓過零點時,V,～V,均截止,從而使V,+、V,,導通,V,,使積分電容Cl放電。過零結束后,Vln,Vi6恢復截止,C,接在V：。的基極集電極,組成密勒積分器,形成線性增大的鋸齒波。鋸齒波的斜率決定于R6、IIW,流出的充電電流和積分電容C1的數值。V24是比較放大管,鋸齒波電壓和移相控制電壓VY以及偏移電壓V,分別通過串聯電阻加到V24的基極作電流比較。TH是反射阻斷四極硅晶閘管。當V24截止,HT也截止,由于11端外接電容C：上儲存有電荷,V29集電極為高電位。鋸齒波電壓上升高到某一瞬時,v：,基流大于零,使V24導通。由于V24導通,使反向阻斷四極硅晶閘管導通,TH一旦被觸發導通,就能保持通導狀態,V24失去控制作用。TH的通導使V29導通,C2通過V29放電,由于C2的微分作用在V24導通的前沿形成一定寬度的輸出脈沖。在同步電壓過零時,由于V24的導通使V19、V20、V21在瞬間導通一下。V21導通給TH陽極控制極加上高電位,使四極硅晶閘管截止,從而V29也截止,同時也由于V20導通對C2充電,使11端建立高電位準備下半周輸出脈沖。V44—49是功放級,分別對正負半周的脈沖進行功率放大,使兩個輸出端都有100mA的輸出能力。13、14端提供脈沖列調制和脈沖封鎖的控制。KJ009可控硅移相觸發器電路的同步電壓為任意值,同步串聯電阻R4選擇按下式計算： R4=同步電壓/2～3×103(Ω)

KJ009封裝形式：
　　KJ009可控硅移相觸發器電路采用雙列直插C—16線白瓷和黑瓷兩種外殼封裝,外形尺寸按電子工業部部頒標準《半導體集成電路外形尺寸》SJ1100—76

KJ009典型接線圖及各點波形：
　　對不同的移相控制電壓VY,只要改變權電阻R1、R2的比例,調節相應電壓VP同時調整鋸齒波斜率電位器RW1,可以使不同的移相控制電壓獲得整個移相范圍。觸發極性為正極性型,即移相電壓增加,號通角增大。
　　

KJ009電參數：

1. 電源電壓：直流+15V、-15V,允許波動±5%(土10%時功能正常)。
2. 電源電流：正電流≤15mA,負電流≤10mA。
3. 同步電壓：任意值。
4. 同步輸入端允許最大同步電流：6mA(有效值)
5. 移相范圍：≥ 170’(同步電壓30V,同步輸人電阻15KΩ)。
6. 鋸齒波幅度：≥10V(幅度以鋸齒波平頂為準)。
7. 輸出脈沖：
   　　(1)寬度：400μS～2mS(改變阻容元件達到)。
   　　(2)幅度：≥ 13V。
8. 輸出管反壓：BVceo≥18V(測試條件Ie=100μA)。
9. 正負半周脈沖相位不均衡度：≤土30.