KJ009可控硅移相觸發(fā)器
KJ009可控硅移相觸發(fā)器的基本性能與KJ004相同,可以與KJ004互換使用。由于器件內(nèi)部采用了反向阻斷四極硅晶閘管作脈沖記憶,提高了抗干擾能力和觸發(fā)脈沖的前沿陡度,脈沖的寬度有較大的調(diào)節(jié)范圍。KJ009可控硅移相觸發(fā)器適用于單相、三相全控橋式供電裝置中作可控硅的雙路脈沖移相觸發(fā)。兩路相位差180度的移相脈沖可以方便地構(gòu)成全控橋式觸發(fā)線路。具有輸出負(fù)載能力強(qiáng)、鋸齒波線性好、正負(fù)半周脈沖相位均衡度好、移相范圍寬、對(duì)同步電壓要求低,有脈沖列調(diào)制輸入等功能與特點(diǎn)。
KJ009電路工作原理：
KJ009可控硅移相觸發(fā)器由同步檢測(cè)電路、鋸齒波形成電路、偏移電壓、移相電壓及鋸齒波電壓綜合比較放大電路、脈沖記憶路及功率放大電路等部分組成。由V,—V,對(duì)同步電壓進(jìn)行檢測(cè)。在同步電壓過零點(diǎn)時(shí),V,～V,均截止,從而使V,+、V,,導(dǎo)通,V,,使積分電容Cl放電。過零結(jié)束后,Vln,Vi6恢復(fù)截止,C,接在V：。的基極集電極,組成密勒積分器,形成線性增大的鋸齒波。鋸齒波的斜率決定于R6、IIW,流出的充電電流和積分電容C1的數(shù)值。V24是比較放大管,鋸齒波電壓和移相控制電壓VY以及偏移電壓V,分別通過串聯(lián)電阻加到V24的基極作電流比較。TH是反射阻斷四極硅晶閘管。當(dāng)V24截止,HT也截止,由于11端外接電容C：上儲(chǔ)存有電荷,V29集電極為高電位。鋸齒波電壓上升高到某一瞬時(shí),v：,基流大于零,使V24導(dǎo)通。由于V24導(dǎo)通,使反向阻斷四極硅晶閘管導(dǎo)通,TH一旦被觸發(fā)導(dǎo)通,就能保持通導(dǎo)狀態(tài),V24失去控制作用。TH的通導(dǎo)使V29導(dǎo)通,C2通過V29放電,由于C2的微分作用在V24導(dǎo)通的前沿形成一定寬度的輸出脈沖。在同步電壓過零時(shí),由于V24的導(dǎo)通使V19、V20、V21在瞬間導(dǎo)通一下。V21導(dǎo)通給TH陽極控制極加上高電位,使四極硅晶閘管截止,從而V29也截止,同時(shí)也由于V20導(dǎo)通對(duì)C2充電,使11端建立高電位準(zhǔn)備下半周輸出脈沖。V44—49是功放級(jí),分別對(duì)正負(fù)半周的脈沖進(jìn)行功率放大,使兩個(gè)輸出端都有100mA的輸出能力。13、14端提供脈沖列調(diào)制和脈沖封鎖的控制。KJ009可控硅移相觸發(fā)器電路的同步電壓為任意值,同步串聯(lián)電阻R4選擇按下式計(jì)算： R4=同步電壓/2～3×103(Ω)
KJ009封裝形式：
KJ009可控硅移相觸發(fā)器電路采用雙列直插C—16線白瓷和黑瓷兩種外殼封裝,外形尺寸按電子工業(yè)部部頒標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路外形尺寸》SJ1100—76
| 功 能 |
輸出 |
空 |
鋸齒波形成 |
-Vee
(1kΩ) |
空 |
地 |
同步輸入 |
綜合比較 |
空 |
微分阻容 |
封鎖調(diào)制 |
輸出 |
+Vcc |
| 引線腳號(hào) |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
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KJ009典型接線圖及各點(diǎn)波形：
對(duì)不同的移相控制電壓VY,只要改變權(quán)電阻R1、R2的比例,調(diào)節(jié)相應(yīng)電壓VP同時(shí)調(diào)整鋸齒波斜率電位器RW1,可以使不同的移相控制電壓獲得整個(gè)移相范圍。觸發(fā)極性為正極性型,即移相電壓增加,號(hào)通角增大。
KJ009電參數(shù)：
- 電源電壓：直流+15V、-15V,允許波動(dòng)±5%(土10%時(shí)功能正常)。
- 電源電流：正電流≤15mA,負(fù)電流≤10mA。
- 同步電壓：任意值。
- 同步輸入端允許最大同步電流：6mA(有效值)
- 移相范圍：≥ 170’(同步電壓30V,同步輸人電阻15KΩ)。
- 鋸齒波幅度：≥10V(幅度以鋸齒波平頂為準(zhǔn))。
- 輸出脈沖：
(1)寬度：400μS～2mS(改變阻容元件達(dá)到)。
(2)幅度：≥ 13V。
- 輸出管反壓：BVceo≥18V(測(cè)試條件Ie=100μA)。
- 正負(fù)半周脈沖相位不均衡度：≤土30.
