四位半顯示讀數；八量程自動或手動測試；
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產品及測試項目要求選購.
國際標準分類中，四探針法涉及到半導體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫學、復合增強材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學、土質、土壤學、水質、電子顯示器件、有色金屬。
GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法
整機測量最大相對誤差：≤±3%；整機測量標準不確定度：≤±3%
基本設置操作簡單，方阻、電阻、電阻率、電導率和分選結果；多種參數同時顯示。
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量精確度尚未評估。
GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法
GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測量方法提要
便于查看的顯示/直觀的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD顯示；操作易學，直觀使用；
提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內及國外客戶需求
GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
下列文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。 GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法
正反向電流源修正測量電阻誤差
恒流源：電流量程分為： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六檔；儀器配有恒流源開關可有效保護被測件，即先讓探針頭壓觸在被測材料上，后開恒流源開關，避免接觸瞬間打火。為了提高工作效率，如探針帶電壓觸單晶對材料及測量并無影響時，恒流源開關可一直處于開的狀態。
在中國標準分類中，四探針法涉及到半金屬與半導體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯用裝置、電阻器、半導體集成電路、工程地質、水文地質勘察與巖土工程、水環境有毒害物質分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導體材料、金屬無損檢驗方法。
可配合多種探頭進行測試；也可配合多種測試臺進行測試。
測量范圍寬： 電阻：10-4Ω－10-5Ω ；方阻：10-4Ω/□－105Ω/□；
精度高：電阻基本準確度： 0.05％；方阻基本準確度：3%；電阻率基本準確度：3%
本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成圖表和報表。
范圍本標準規定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。
